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STMicroelectronics STB13N80K5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB13N80K5 |
| Codice Parte EBEE | E8500929 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 12A 370mΩ@10V,6A 190W 4V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9572 | $ 2.9572 |
| 10+ | $2.5241 | $ 25.2410 |
| 30+ | $2.2668 | $ 68.0040 |
| 100+ | $2.0058 | $ 200.5800 |
| 500+ | $1.8869 | $ 943.4500 |
| 1000+ | $1.8318 | $ 1831.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB13N80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 800V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 12A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 370mΩ@10V,6A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 190W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@100uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 870pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | - |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $2.9572 | $ 2.9572 |
| 10+ | $2.5241 | $ 25.2410 |
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| 100+ | $2.0058 | $ 200.5800 |
| 500+ | $1.8869 | $ 943.4500 |
| 1000+ | $1.8318 | $ 1831.8000 |
