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STMicroelectronics STB120N4F6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB120N4F6 |
| Codice Parte EBEE | E82970287 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 80A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9475 | $ 3.9475 |
| 200+ | $1.5280 | $ 305.6000 |
| 500+ | $1.4751 | $ 737.5500 |
| 1000+ | $1.4477 | $ 1447.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB120N4F6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| La configurazione | - | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 40V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 80A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | - | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 350pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 3.85nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 65nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $3.9475 | $ 3.9475 |
| 200+ | $1.5280 | $ 305.6000 |
| 500+ | $1.4751 | $ 737.5500 |
| 1000+ | $1.4477 | $ 1447.7000 |
