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STMicroelectronics STB10LN80K5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB10LN80K5 |
| Codice Parte EBEE | E8457512 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 8A 630mΩ@10V,4A 110W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.7313 | $ 13.7313 |
| 10+ | $13.3675 | $ 133.6750 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB10LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 800V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 8A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 630mΩ@10V,4A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 110W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@100uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 0.25pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 427pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 15nC@640V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $13.7313 | $ 13.7313 |
| 10+ | $13.3675 | $ 133.6750 |
