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STMicroelectronics STB100N6F7
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB100N6F7 |
| Codice Parte EBEE | E8165928 |
| Confezione | TO-263-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 100A 5.6mΩ@10V,50A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1443 | $ 2.1443 |
| 10+ | $1.8851 | $ 18.8510 |
| 30+ | $1.7236 | $ 51.7080 |
| 100+ | $1.5568 | $ 155.6800 |
| 500+ | $1.4821 | $ 741.0500 |
| 1000+ | $1.4503 | $ 1450.3000 |
| 2000+ | $1.4343 | $ 2868.6000 |
| 4000+ | $1.4236 | $ 5694.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB100N6F7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 60V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 100A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.6mΩ@10V,50A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 125W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.98nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 30nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $2.1443 | $ 2.1443 |
| 10+ | $1.8851 | $ 18.8510 |
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| 100+ | $1.5568 | $ 155.6800 |
| 500+ | $1.4821 | $ 741.0500 |
| 1000+ | $1.4503 | $ 1450.3000 |
| 2000+ | $1.4343 | $ 2868.6000 |
| 4000+ | $1.4236 | $ 5694.4000 |
