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SINEDEVICE SDM017G10DB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SDM017G10DB |
| Codice Parte EBEE | E829780690 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 100V 40A 21W 14mΩ@10V,10A 1.9V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | SINEDEVICE SDM017G10DB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 17mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 5.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 769pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 171pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.7nC@10V |
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