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ROHM Semicon RF4E080GNTR
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | RF4E080GNTR |
| Codice Parte EBEE | E87338690 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 8A 2W 17.6mΩ@10V,8A 2.5V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2042 | $ 0.2042 |
| 200+ | $0.0815 | $ 16.3000 |
| 500+ | $0.0788 | $ 39.4000 |
| 1000+ | $0.0775 | $ 77.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ROHM RF4E080GNTR | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 8A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 17.6mΩ@10V,8A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 295pF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 5.8nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 200+ | $0.0815 | $ 16.3000 |
| 500+ | $0.0788 | $ 39.4000 |
| 1000+ | $0.0775 | $ 77.5000 |
