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RENESAS 2SK1968-E
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2SK1968-E |
| Codice Parte EBEE | E83282853 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 12A 100W 680mΩ@10V,6A 2V@1mA MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0505 | $ 17.0505 |
| 200+ | $6.5992 | $ 1319.8400 |
| 500+ | $6.3666 | $ 3183.3000 |
| 1000+ | $6.2531 | $ 6253.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | RENESAS 2SK1968-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 12A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 680mΩ@10V,6A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 100W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@1mA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 60pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.8nF@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $17.0505 | $ 17.0505 |
| 200+ | $6.5992 | $ 1319.8400 |
| 500+ | $6.3666 | $ 3183.3000 |
| 1000+ | $6.2531 | $ 6253.1000 |
