| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD5407NT4G |
| Codice Parte EBEE | E83288375 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 38A 2.9W 21mΩ@10V,20A 3.5V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3174 | $ 0.3174 |
| 200+ | $0.1229 | $ 24.5800 |
| 500+ | $0.1186 | $ 59.3000 |
| 1000+ | $0.1165 | $ 116.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi STD5407NT4G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 40V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 38A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 21mΩ@10V,20A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2.9W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3.5V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 80pF@32V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1nF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3174 | $ 0.3174 |
| 200+ | $0.1229 | $ 24.5800 |
| 500+ | $0.1186 | $ 59.3000 |
| 1000+ | $0.1165 | $ 116.5000 |
