Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
onsemi NVTFWS8D1N08HTAG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NVTFWS8D1N08HTAG |
| Codice Parte EBEE | E83291426 |
| Confezione | WDFNW-8(3.3x3.3) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 8.3mΩ@10V,16A 4V@270uA 1 N-channel WDFNW-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4498 | $ 1.4498 |
| 200+ | $0.5607 | $ 112.1400 |
| 500+ | $0.5413 | $ 270.6500 |
| 1500+ | $0.5323 | $ 798.4500 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi NVTFWS8D1N08HTAG | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 80V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 14A;61A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 8.3mΩ@10V,16A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 3.8W;75W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@270uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.45nF@40V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 23nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4498 | $ 1.4498 |
| 200+ | $0.5607 | $ 112.1400 |
| 500+ | $0.5413 | $ 270.6500 |
| 1500+ | $0.5323 | $ 798.4500 |
