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onsemi NTE4153NT1G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTE4153NT1G |
| Codice Parte EBEE | E879836 |
| Confezione | SC-89 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 915mA 300mW 0.127Ω@4.5V 450mV@250uA 1 N-channel SC-89 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.4346 | $ 2.1730 |
| 50+ | $0.3593 | $ 17.9650 |
| 150+ | $0.3269 | $ 49.0350 |
| 500+ | $0.2554 | $ 127.7000 |
| 3000+ | $0.2375 | $ 712.5000 |
| 6000+ | $0.2267 | $ 1360.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi NTE4153NT1G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 20V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 915mA | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.127Ω@4.5V | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 300mW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 450mV@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 12pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 110pF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 1.82nC |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 5+ | $0.4346 | $ 2.1730 |
| 50+ | $0.3593 | $ 17.9650 |
| 150+ | $0.3269 | $ 49.0350 |
| 500+ | $0.2554 | $ 127.7000 |
| 3000+ | $0.2375 | $ 712.5000 |
| 6000+ | $0.2267 | $ 1360.2000 |
