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onsemi NDS352AP
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NDS352AP |
| Codice Parte EBEE | E828872 |
| Confezione | SOT-23-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 900mA 500mW 0.3Ω@10V,1A 800mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7351 | $ 0.7351 |
| 10+ | $0.6195 | $ 6.1950 |
| 30+ | $0.5618 | $ 16.8540 |
| 100+ | $0.5058 | $ 50.5800 |
| 500+ | $0.4714 | $ 235.7000 |
| 1000+ | $0.4533 | $ 453.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi NDS352AP | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 900mA | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.3Ω@10V,1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 500mW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 800mV@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 40pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 135pF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 3nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $0.7351 | $ 0.7351 |
| 10+ | $0.6195 | $ 6.1950 |
| 30+ | $0.5618 | $ 16.8540 |
| 100+ | $0.5058 | $ 50.5800 |
| 500+ | $0.4714 | $ 235.7000 |
| 1000+ | $0.4533 | $ 453.3000 |
