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onsemi NDB6030PL
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NDB6030PL |
| Codice Parte EBEE | E83277658 |
| Confezione | D2PAK(TO-263AB) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 30A 25mΩ@10V,19A 75W 2V@250uA 1 Piece P-Channel D2PAK(TO-263AB) MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1428 | $ 1.1428 |
| 200+ | $0.4437 | $ 88.7400 |
| 500+ | $0.4277 | $ 213.8500 |
| 1000+ | $0.4206 | $ 420.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi NDB6030PL | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 30A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 25mΩ@10V,19A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 75W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.57nF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 36nC@5V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $1.1428 | $ 1.1428 |
| 200+ | $0.4437 | $ 88.7400 |
| 500+ | $0.4277 | $ 213.8500 |
| 1000+ | $0.4206 | $ 420.6000 |
