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onsemi FDS2582
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDS2582 |
| Codice Parte EBEE | E8455164 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 150V 4.1A 0.066Ω@10V,4.1A 2.5W 2V@250uA 1 N-channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1561 | $ 1.1561 |
| 10+ | $0.9498 | $ 9.4980 |
| 30+ | $0.8364 | $ 25.0920 |
| 100+ | $0.7088 | $ 70.8800 |
| 500+ | $0.6521 | $ 326.0500 |
| 1000+ | $0.6269 | $ 626.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi FDS2582 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 66mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 32pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 150V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.29nF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
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