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onsemi FDMS8680
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDMS8680 |
| Codice Parte EBEE | E8891108 |
| Confezione | Power56-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 35A 7mΩ@10V,14A 50W 1V@250uA 1 N-channel Power-56-8 MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMS8680 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 7mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 145pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.59nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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