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onsemi FDMS86200
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDMS86200 |
| Codice Parte EBEE | E8128799 |
| Confezione | PDFN-8(4.9x5.8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 150V 35A 21mΩ@6V,8.8A 104W 4V@250uA 1 N-channel PDFN-8(4.9x5.8) MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMS86200 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 21mΩ@6V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 16pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Drain to Source Voltage | 150V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.715nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 270pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@10V |
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