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onsemi FDMS86101DC
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDMS86101DC |
| Codice Parte EBEE | E8605042 |
| Confezione | PQFN-8(5x6) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 60A 7.5mΩ@10V,14.5A 125W 2.7V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $0.5376 | $ 0.5376 |
| 10+ | $0.4291 | $ 4.2910 |
| 30+ | $0.3812 | $ 11.4360 |
| 100+ | $0.3238 | $ 32.3800 |
| 500+ | $0.2983 | $ 149.1500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMS86101DC | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 7.5mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 35pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.135nF | |
| Gate Charge(Qg) | 44nC@10V |
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