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onsemi FDMS8570SDC
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDMS8570SDC |
| Codice Parte EBEE | E83279580 |
| Confezione | PowerTDFN-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 25V 60A 59W 2.8mΩ@10V,28A 1.1V@1mA 1 N-channel PowerTDFN-8 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
| 200+ | $0.6744 | $ 134.8800 |
| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMS8570SDC | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 25V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 60A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V,28A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 59W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1.1V@1mA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 94pF@13V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2.825nF@13V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 42nC |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
| 200+ | $0.6744 | $ 134.8800 |
| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
