| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDMS7682 |
| Codice Parte EBEE | E8393365 |
| Confezione | Power56-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 22A 33W 6.3mΩ@10V,14A 1.9V@250uA 1 N-channel PQFN-8(4.9x5.8) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3888 | $ 0.3888 |
| 10+ | $0.3807 | $ 3.8070 |
| 30+ | $0.3743 | $ 11.2290 |
| 100+ | $0.3695 | $ 36.9500 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMS7682 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 10.4mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 75pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 33W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 59A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.885nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 640pF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3888 | $ 0.3888 |
| 10+ | $0.3807 | $ 3.8070 |
| 30+ | $0.3743 | $ 11.2290 |
| 100+ | $0.3695 | $ 36.9500 |
