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onsemi FDMD8630
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDMD8630 |
| Codice Parte EBEE | E8890988 |
| Confezione | PQFN-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 1mΩ@10V,38A 3V@250uA 2 N-Channel PQFN-8 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8700 | $ 4.8700 |
| 200+ | $1.8853 | $ 377.0600 |
| 500+ | $1.8196 | $ 909.8000 |
| 1000+ | $1.7869 | $ 1786.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMD8630 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 2 N-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 38A;167A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 1mΩ@10V,38A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2.3W;43W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 9.93nF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 142nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $4.8700 | $ 4.8700 |
| 200+ | $1.8853 | $ 377.0600 |
| 500+ | $1.8196 | $ 909.8000 |
| 1000+ | $1.7869 | $ 1786.9000 |
