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onsemi FDMC8882
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDMC8882 |
| Codice Parte EBEE | E8890975 |
| Confezione | WDFN-8(3.3x3.3) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 14.3mΩ@10V,10.5A 2.5V@250uA 1 N-channel WDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1146 | $ 1.1146 |
| 10+ | $0.9262 | $ 9.2620 |
| 30+ | $0.8233 | $ 24.6990 |
| 100+ | $0.7061 | $ 70.6100 |
| 500+ | $0.6539 | $ 326.9500 |
| 1000+ | $0.6301 | $ 630.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMC8882 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 14.3mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.3W;18W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10.5A;16A | |
| Ciss-Input Capacitance | 945pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
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