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onsemi FDMC86160
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDMC86160 |
| Codice Parte EBEE | E8605029 |
| Confezione | Power-33 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 43A 14mΩ@10V,9A 54W 2.9V@250uA 1 N-channel Power-33 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5374 | $ 2.5374 |
| 10+ | $2.1688 | $ 21.6880 |
| 30+ | $1.9373 | $ 58.1190 |
| 100+ | $1.7011 | $ 170.1100 |
| 500+ | $1.5940 | $ 797.0000 |
| 1000+ | $1.5483 | $ 1548.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMC86160 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 14mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 54W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.29nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
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