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onsemi FDMC3612
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDMC3612 |
| Codice Parte EBEE | E8455160 |
| Confezione | Power-33 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 12A 110mΩ@10V,3.3A 35W 4V@250uA 1 N-channel Power-33 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $0.6492 | $ 0.6492 |
| 10+ | $0.5407 | $ 5.4070 |
| 30+ | $0.4849 | $ 14.5470 |
| 100+ | $0.4323 | $ 43.2300 |
| 500+ | $0.3812 | $ 190.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMC3612 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 110mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 35pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 880pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC@10V |
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