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onsemi EFC4C012NLTDG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | EFC4C012NLTDG |
| Codice Parte EBEE | E8895363 |
| Confezione | WLCSP-6(1.9x3.5) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 19A 6.5mΩ@10V,5A 2.5W 2.2V@1mA 2 N-Channel WLCSP-6(1.9x3.5) MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0493 | $ 3.0493 |
| 10+ | $2.6067 | $ 26.0670 |
| 30+ | $2.3295 | $ 69.8850 |
| 100+ | $2.0444 | $ 204.4400 |
| 500+ | $1.9168 | $ 958.4000 |
| 1000+ | $1.8617 | $ 1861.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi EFC4C012NLTDG | |
| RoHS | ||
| La configurazione | Common Drain | |
| RDS (on) | 6.5mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guida all’acquisto
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