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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | EFC4C002NLTDG |
| Codice Parte EBEE | E8895362 |
| Confezione | WLCSP-8(2.5x6) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 30A 2.6mΩ@10V,30A 2.6W 1.3V@1mA 2 N-Channel WLCSP-8(2.5x6) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2508 | $ 1.2508 |
| 10+ | $1.0789 | $ 10.7890 |
| 30+ | $0.9764 | $ 29.2920 |
| 100+ | $0.8731 | $ 87.3100 |
| 500+ | $0.8255 | $ 412.7500 |
| 1000+ | $0.8041 | $ 804.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi EFC4C002NLTDG | |
| RoHS | ||
| La configurazione | Common Drain | |
| RDS (on) | 2.6mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.6W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2508 | $ 1.2508 |
| 10+ | $1.0789 | $ 10.7890 |
| 30+ | $0.9764 | $ 29.2920 |
| 100+ | $0.8731 | $ 87.3100 |
| 500+ | $0.8255 | $ 412.7500 |
| 1000+ | $0.8041 | $ 804.1000 |
