| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTE2932 |
| Codice Parte EBEE | E86135007 |
| Confezione | TO-3PML |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 21.3A 90W 85mΩ@10V,10.65A 4V@250uA 1 N-channel TO-3PML MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.0277 | $ 20.0277 |
| 200+ | $7.9916 | $ 1598.3200 |
| 500+ | $7.7250 | $ 3862.5000 |
| 1000+ | $7.5925 | $ 7592.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics NTE2932 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 200V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 21.3A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 85mΩ@10V,10.65A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 90W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 230pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 3nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 123nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.0277 | $ 20.0277 |
| 200+ | $7.9916 | $ 1598.3200 |
| 500+ | $7.7250 | $ 3862.5000 |
| 1000+ | $7.5925 | $ 7592.5000 |
