| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM50DAM19G |
| Codice Parte EBEE | E85948975 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 500V 163A 1.136kW 22.5mΩ@10V,81.5A 3V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $641.4344 | $ 641.4344 |
| 200+ | $255.9363 | $ 51187.2600 |
| 500+ | $247.3855 | $ 123692.7500 |
| 1000+ | $243.1597 | $ 243159.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APTM50DAM19G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 500V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 163A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 22.5mΩ@10V,81.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1.136kW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@10mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 22.4nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 492nC@10V |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $641.4344 | $ 641.4344 |
| 200+ | $255.9363 | $ 51187.2600 |
| 500+ | $247.3855 | $ 123692.7500 |
| 1000+ | $243.1597 | $ 243159.7000 |
