| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM50DAM17G |
| Codice Parte EBEE | E85589030 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 500V 180A 1.25kW 20mΩ@10V,90A 3V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $735.3949 | $ 735.3949 |
| 200+ | $293.4283 | $ 58685.6600 |
| 500+ | $283.6227 | $ 141811.3500 |
| 1000+ | $278.7782 | $ 278778.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APTM50DAM17G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 500V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 180A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 20mΩ@10V,90A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1.25kW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@10mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 28nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 560nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $735.3949 | $ 735.3949 |
| 200+ | $293.4283 | $ 58685.6600 |
| 500+ | $283.6227 | $ 141811.3500 |
| 1000+ | $278.7782 | $ 278778.2000 |
