| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM20UM03FAG |
| Codice Parte EBEE | E85589027 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 580A 3.6mΩ@10V,290A 2.27kW 5V@15mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,132.4550 | $ 1132.4550 |
| 200+ | $451.8578 | $ 90371.5600 |
| 500+ | $436.7582 | $ 218379.1000 |
| 1000+ | $429.2964 | $ 429296.4000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APTM20UM03FAG | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 200V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 580A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.6mΩ@10V,290A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2.27kW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 5V@15mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 43.3nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 840nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,132.4550 | $ 1132.4550 |
| 200+ | $451.8578 | $ 90371.5600 |
| 500+ | $436.7582 | $ 218379.1000 |
| 1000+ | $429.2964 | $ 429296.4000 |
