| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM120U10SAG |
| Codice Parte EBEE | E85589024 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1.2kV 116A 120mΩ@10V,58A 3.29kW 3V@20mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,068.2126 | $ 1068.2126 |
| 200+ | $426.2242 | $ 85244.8400 |
| 500+ | $411.9820 | $ 205991.0000 |
| 1000+ | $404.9436 | $ 404943.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APTM120U10SAG | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 116A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 120mΩ@10V,58A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 3.29kW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@20mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 28.9nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 1.1uC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,068.2126 | $ 1068.2126 |
| 200+ | $426.2242 | $ 85244.8400 |
| 500+ | $411.9820 | $ 205991.0000 |
| 1000+ | $404.9436 | $ 404943.6000 |
