Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

Microchip Tech APTM120DA30CT1G


Produttore
Codice Parte Mfr.
APTM120DA30CT1G
Codice Parte EBEE
E86124824
Confezione
-
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
1.2kV 31A 360mΩ@10V,25A 657W [email protected] 1 N-channel MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>

In Magazzino : Si Prega di Richiedere

Invia RFQ, risponderemo immediatamente.

Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$264.2137$ 264.2137
200+$105.4234$ 21084.6800
500+$101.8999$ 50949.9500
1000+$100.1607$ 100160.7000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaMICROCHIP APTM120DA30CT1G
RoHS
Temperatura di funzionamento-40℃~+150℃@(Tj)
Tipo di tipo1 N-channel
Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss)1.2kV
Corrente di scarico continuo (Id)31A
Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)360mΩ@10V,25A
Dissipazione di potenza (Pd)657W
Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)[email protected]
Capacità di ingresso (Ciss-Vds)14.56nF@25V
Carica totale del cancello (Qg-Vgs)560nC@10V

Guida all’acquisto

Espandi