| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM100UM45FAG |
| Codice Parte EBEE | E85554270 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1kV 215A 52mΩ@10V,107.5A 5kW 3V@30mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,461.5871 | $ 1461.5871 |
| 200+ | $583.1829 | $ 116636.5800 |
| 500+ | $563.6955 | $ 281847.7500 |
| 1000+ | $554.0660 | $ 554066.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APTM100UM45FAG | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 215A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 52mΩ@10V,107.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 5kW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@30mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 42.7nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 1.602uC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,461.5871 | $ 1461.5871 |
| 200+ | $583.1829 | $ 116636.5800 |
| 500+ | $563.6955 | $ 281847.7500 |
| 1000+ | $554.0660 | $ 554066.0000 |
