| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTC80H29T3G |
| Codice Parte EBEE | E817496272 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 15A 290mΩ@10V,7.5A 156W 3.9V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $190.9981 | $ 190.9981 |
| 200+ | $76.2105 | $ 15242.1000 |
| 500+ | $73.6638 | $ 36831.9000 |
| 1000+ | $72.4045 | $ 72404.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 4 N-channel | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 800V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 15A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 290mΩ@10V,7.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 156W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3.9V@1mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2.254nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 90nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $190.9981 | $ 190.9981 |
| 200+ | $76.2105 | $ 15242.1000 |
| 500+ | $73.6638 | $ 36831.9000 |
| 1000+ | $72.4045 | $ 72404.5000 |
