| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTC80DDA15T3G |
| Codice Parte EBEE | E86125230 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 28A 150mΩ@10V,14A 277W 3.9V@2mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $216.7959 | $ 216.7959 |
| 200+ | $86.5040 | $ 17300.8000 |
| 500+ | $83.6132 | $ 41806.6000 |
| 1000+ | $82.1842 | $ 82184.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APTC80DDA15T3G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 2 N-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 800V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 28A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 150mΩ@10V,14A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 277W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3.9V@2mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 4.507nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 180nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $216.7959 | $ 216.7959 |
| 200+ | $86.5040 | $ 17300.8000 |
| 500+ | $83.6132 | $ 41806.6000 |
| 1000+ | $82.1842 | $ 82184.2000 |
