| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTC60HM35T3G |
| Codice Parte EBEE | E817443630 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 72A 416W 35mΩ@10V,72A [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $329.6354 | $ 329.6354 |
| 200+ | $131.5271 | $ 26305.4200 |
| 500+ | $127.1324 | $ 63566.2000 |
| 1000+ | $124.9603 | $ 124960.3000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APTC60HM35T3G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 4 N-channel | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 72A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 35mΩ@10V,72A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 416W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 14nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 518nC@10V |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $329.6354 | $ 329.6354 |
| 200+ | $131.5271 | $ 26305.4200 |
| 500+ | $127.1324 | $ 63566.2000 |
| 1000+ | $124.9603 | $ 124960.3000 |
