| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APT32F120J |
| Codice Parte EBEE | E87077489 |
| Confezione | SOT-227B-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1.2kV 33A 960W 320mΩ@10V,25A 4V@25A 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $168.4750 | $ 168.4750 |
| 200+ | $67.2235 | $ 13444.7000 |
| 500+ | $64.9771 | $ 32488.5500 |
| 1000+ | $63.8670 | $ 63867.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APT32F120J | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 33A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 320mΩ@10V,25A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 960W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@25A | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 215pF@1200V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 18200pF@1200V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 560nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $168.4750 | $ 168.4750 |
| 200+ | $67.2235 | $ 13444.7000 |
| 500+ | $64.9771 | $ 32488.5500 |
| 1000+ | $63.8670 | $ 63867.0000 |
