| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APT25M100J |
| Codice Parte EBEE | E85554172 |
| Confezione | SOT-227B-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1kV 25A 330mΩ@10V,18A 545W [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $103.2695 | $ 103.2695 |
| 200+ | $41.2054 | $ 8241.0800 |
| 500+ | $39.8288 | $ 19914.4000 |
| 1000+ | $39.1491 | $ 39149.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APT25M100J | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 25A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 330mΩ@10V,18A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 545W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 130pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 9.835nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 305nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $103.2695 | $ 103.2695 |
| 200+ | $41.2054 | $ 8241.0800 |
| 500+ | $39.8288 | $ 19914.4000 |
| 1000+ | $39.1491 | $ 39149.1000 |
