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Microchip Tech APT100GT120JRDQ4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APT100GT120JRDQ4 |
| Codice Parte EBEE | E817198710 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 570W 123A 1.2kV NPT (non-penetrating type) IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $174.5396 | $ 174.5396 |
| 200+ | $69.6441 | $ 13928.8200 |
| 500+ | $67.3158 | $ 33657.9000 |
| 1000+ | $66.1656 | $ 66165.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | NPT (non-penetrating type) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 123A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 570W | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 1.2kV | |
| Capacità di ingresso (Cies-Vce) | 7.85nF@25V | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | 3.7V@15V,100A |
Guida all’acquisto
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| 1000+ | $66.1656 | $ 66165.6000 |
