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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2N65D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MDD2N65D |
| Codice Parte EBEE | E85299401 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 2A 35W 5.2Ω@10V,1A 4V@1A 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 150+ | $0.0698 | $ 10.4700 |
| 500+ | $0.0617 | $ 30.8500 |
| 2500+ | $0.0525 | $ 131.2500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2N65D | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 5.2Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 338pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.2nC |
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