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HARRIS IRFD321
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRFD321 |
| Codice Parte EBEE | E83288353 |
| Confezione | DIP-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 350V 500mA 1.8Ω@10V,250mA 1W 4V@250uA 1 N-channel DIP-4 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7849 | $ 3.7849 |
| 200+ | $1.4657 | $ 293.1400 |
| 500+ | $1.4143 | $ 707.1500 |
| 1000+ | $1.3877 | $ 1387.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | HARRIS IRFD321 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 350V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 500mA | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.8Ω@10V,250mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 455pF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 15nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $3.7849 | $ 3.7849 |
| 200+ | $1.4657 | $ 293.1400 |
| 500+ | $1.4143 | $ 707.1500 |
| 1000+ | $1.3877 | $ 1387.7000 |
