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GOODWORK 5N65F
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 5N65F |
| Codice Parte EBEE | E86068472 |
| Confezione | ITO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 5A 36W 1.92Ω@10V,2.5A 4V@250uA ITO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2222 | $ 1.1110 |
| 50+ | $0.1745 | $ 8.7250 |
| 150+ | $0.1541 | $ 23.1150 |
| 500+ | $0.1285 | $ 64.2500 |
| 2000+ | $0.1172 | $ 234.4000 |
| 5000+ | $0.1104 | $ 552.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | GOODWORK 5N65F | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 1.92Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 623pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V |
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| 50+ | $0.1745 | $ 8.7250 |
| 150+ | $0.1541 | $ 23.1150 |
| 500+ | $0.1285 | $ 64.2500 |
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