20% off
Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
GOODWORK 4N65F
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 4N65F |
| Codice Parte EBEE | E85248039 |
| Confezione | ITO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 4A 36W 2Ω@10V,2A 2V@250uA 1 N-channel ITO-220AB MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>55 In Magazzino per Consegna Rapida
55 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1824 | $ 0.9120 |
| 50+ | $0.1397 | $ 6.9850 |
| 150+ | $0.1233 | $ 18.4950 |
| 500+ | $0.1029 | $ 51.4500 |
| 2000+ | $0.0938 | $ 187.6000 |
| 5000+ | $0.0883 | $ 441.5000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | GOODWORK 4N65F | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 2Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 11pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 670pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
55 Stock for Shipping Fast
55 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1824 | $ 0.9120 |
| 50+ | $0.1397 | $ 6.9850 |
| 150+ | $0.1233 | $ 18.4950 |
| 500+ | $0.1029 | $ 51.4500 |
| 2000+ | $0.0938 | $ 187.6000 |
| 5000+ | $0.0883 | $ 441.5000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
