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GOODWORK 30N06
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 30N06 |
| Codice Parte EBEE | E85807887 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 30A 23mΩ@10V,10A 41.7W 1.2V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0821 | $ 0.4105 |
| 50+ | $0.0650 | $ 3.2500 |
| 150+ | $0.0564 | $ 8.4600 |
| 500+ | $0.0500 | $ 25.0000 |
| 2500+ | $0.0449 | $ 112.2500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | GOODWORK 30N06 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 23mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 49pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 41.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.355nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
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