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GOODWORK 20N65F
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 20N65F |
| Codice Parte EBEE | E85807888 |
| Confezione | ITO-220F |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 20A 0.35Ω@10V,10A 167W 2V@250uA 1 N-channel ITO-220F MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 1+ | $0.5783 | $ 0.5783 |
| 10+ | $0.4639 | $ 4.6390 |
| 50+ | $0.3922 | $ 19.6100 |
| 100+ | $0.3350 | $ 33.5000 |
| 500+ | $0.3018 | $ 150.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | GOODWORK 20N65F | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 350mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 167W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.978nF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V |
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