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GOODWORK 12N65F
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 12N65F |
| Codice Parte EBEE | E82922158 |
| Confezione | ITO-220F |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 12A 0.67Ω@10V,6A 55W 2V@250uA 1 N-channel ITO-220F MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.3502 | $ 3.5020 |
| 50+ | $0.2904 | $ 14.5200 |
| 100+ | $0.2420 | $ 24.2000 |
| 500+ | $0.2207 | $ 110.3500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | GOODWORK 12N65F | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 804mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 16pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.107nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 195pF | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC@10V |
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