| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 10N65 |
| Codice Parte EBEE | E822470953 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 10A 0.95Ω@10V,5A 65W 2V@250uA TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4348 | $ 0.4348 |
| 10+ | $0.3423 | $ 3.4230 |
| 50+ | $0.3022 | $ 15.1100 |
| 100+ | $0.2513 | $ 25.1300 |
| 500+ | $0.2298 | $ 114.9000 |
| 1000+ | $0.2159 | $ 215.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | GOODWORK 10N65 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 950mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 65W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4348 | $ 0.4348 |
| 10+ | $0.3423 | $ 3.4230 |
| 50+ | $0.3022 | $ 15.1100 |
| 100+ | $0.2513 | $ 25.1300 |
| 500+ | $0.2298 | $ 114.9000 |
| 1000+ | $0.2159 | $ 215.9000 |
