| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GL80N06A4 |
| Codice Parte EBEE | E82886420 |
| Confezione | TO-252-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 60V 80A 6mΩ@10V,40A 110W 1V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3651 | $ 1.8255 |
| 50+ | $0.2980 | $ 14.9000 |
| 150+ | $0.2691 | $ 40.3650 |
| 500+ | $0.2331 | $ 116.5500 |
| 2500+ | $0.1962 | $ 490.5000 |
| 5000+ | $0.1865 | $ 932.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | GL GL80N06A4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 60V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 80A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 6mΩ@10V,40A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 110W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 210pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 4nF@30V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 90nC |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3651 | $ 1.8255 |
| 50+ | $0.2980 | $ 14.9000 |
| 150+ | $0.2691 | $ 40.3650 |
| 500+ | $0.2331 | $ 116.5500 |
| 2500+ | $0.1962 | $ 490.5000 |
| 5000+ | $0.1865 | $ 932.5000 |
