| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | EMB09P03V |
| Codice Parte EBEE | E8461958 |
| Confezione | PowerTDFN-8(3.1x3.1) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 30V 24A 9.5mΩ@10V,13A 2.5W 1V@250uA 1 Piece P-Channel PowerTDFN-8(3.1x3.1) MOSFETs ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2729 | $ 0.2729 |
| 10+ | $0.2192 | $ 2.1920 |
| 30+ | $0.1962 | $ 5.8860 |
| 100+ | $0.1674 | $ 16.7400 |
| 500+ | $0.1547 | $ 77.3500 |
| 1000+ | $0.1471 | $ 147.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | EMC EMB09P03V | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 24A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,13A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2.5W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 398pF@15V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 3.067nF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 52nC@10V |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2729 | $ 0.2729 |
| 10+ | $0.2192 | $ 2.1920 |
| 30+ | $0.1962 | $ 5.8860 |
| 100+ | $0.1674 | $ 16.7400 |
| 500+ | $0.1547 | $ 77.3500 |
| 1000+ | $0.1471 | $ 147.1000 |
