| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOS10DN02 |
| Codice Parte EBEE | E842386223 |
| Confezione | SOP-8D |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | SOP-8D MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0542 | $ 0.5420 |
| 100+ | $0.0428 | $ 4.2800 |
| 300+ | $0.0372 | $ 11.1600 |
| 3000+ | $0.0329 | $ 98.7000 |
| 6000+ | $0.0295 | $ 177.0000 |
| 9000+ | $0.0278 | $ 250.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOS10DN02 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 30mΩ@2.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 75pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 775pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0542 | $ 0.5420 |
| 100+ | $0.0428 | $ 4.2800 |
| 300+ | $0.0372 | $ 11.1600 |
| 3000+ | $0.0329 | $ 98.7000 |
| 6000+ | $0.0295 | $ 177.0000 |
| 9000+ | $0.0278 | $ 250.2000 |
