| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DON50P06 |
| Codice Parte EBEE | E842386237 |
| Confezione | DFN5x6-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1747 | $ 0.8735 |
| 50+ | $0.1512 | $ 7.5600 |
| 150+ | $0.1411 | $ 21.1650 |
| 500+ | $0.1285 | $ 64.2500 |
| 2500+ | $0.1229 | $ 307.2500 |
| 5000+ | $0.1196 | $ 598.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DON50P06 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 20mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 211pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 240W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.399nF | |
| Gate Charge(Qg) | 114nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1747 | $ 0.8735 |
| 50+ | $0.1512 | $ 7.5600 |
| 150+ | $0.1411 | $ 21.1650 |
| 500+ | $0.1285 | $ 64.2500 |
| 2500+ | $0.1229 | $ 307.2500 |
| 5000+ | $0.1196 | $ 598.0000 |
