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DOINGTER DOD629C


Produttore
Codice Parte Mfr.
DOD629C
Codice Parte EBEE
E842412127
Confezione
TO-252-4
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
TO-252-4 MOSFETs ROHS
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Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
5+$0.1640$ 0.8200
50+$0.1301$ 6.5050
150+$0.1156$ 17.3400
500+$0.0974$ 48.7000
2500+$0.0893$ 223.2500
5000+$0.0845$ 422.5000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaDOINGTER DOD629C
RoHS
Tipo di tipoN-Channel + P-Channel
La configurazione-
RDS (on)10mΩ@10V;14mΩ@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)131pF;135pF
Number1 N-Channel + 1 P-Channel
Pd - Power Dissipation40W;45W
Drain to Source Voltage40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.5V;1.6V
Current - Continuous Drain(Id)28A;35A
Ciss-Input Capacitance1.396nF;1.43nF
Output Capacitance(Coss)210pF;150pF
Gate Charge(Qg)25.2nC@10V;[email protected]

Guida all’acquisto

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